内存分为两类：RAM和ROM，将不讨论RAM，主要讨论ROM。

首先，不能对ROM进行编程，无论工厂内容总是一样，它都不灵活。

后来，PROM出现了，您可以自己编写一次，如果您犯了一个错误，则只能更改一个，并且您认为自己很不幸。

人类文明继续发展，最后有一个可以多次擦除和写入的EPROM。

每次擦除芯片时，都需要将芯片置于紫外线下。

将程序下载到微控制器后，发现需要添加一个位置，请考虑一下。

因此，您必须将微控制器放在紫外线灯下半小时，然后才能再次进行操作。

您一天之内不能多次更改。

历史的车轮不断前进，强大的EEPROM出现了，节省了大量程序员，最后可以随意修改ROM​​的内容。

EEPROM的全名是“电可擦可编程只读存储器”，即，电可擦可编程只读存储器。

它相对于UV可擦除ROM。

但是今天，EEPROM有许多变体，它们已成为一种存储器的通用术语。

窄EEPROM：此ROM的功能在于它可以随机访问和修改任何字节，并且可以向每个位写入0或1。

这是最传统的EEPROM类型。

断电后数据不会丢失，可以存储100年，可以擦除和写入100w次。

它具有高可靠性，但是电路复杂并且成本也高。

因此，当前的EEPROM为几十千到几百千字节，很少超过512K。

例如，我们常见的24C02：通用EEPROM：FLASH属于通用EEPROM，因为它也是可电擦除的ROM。

但是为了将其与以字节为单位擦除和写入的普通EEPROM区别开来，我们将其称为闪存。

闪存的改进之处在于，擦除不再以字节为单位，而是以块为单位，这一次可以简化电路，增加数据密度，并降低成本。

M上的rom通常是flash。

如W25Q128JVSIQ：flash分为nor flash和nand flash。

nor flash：nor flash数据线与地址线分隔开，可以实现ram等随机寻址功能，并且可以读取任何字节。

但是擦除仍然需要逐块擦除。

仍为nand flash：nand flash也被块擦除，但是数据线和地址线是多路复用的，并且地址线不能用于随机寻址。

阅读只能按页面阅读。

（Nandflash按块擦除，按页读取，也不Flash没有页），例如：W29N01HVSINA因为nand flash引脚是多路复用的，所以读取速度比nor flash慢一点，但是擦除和写入速度比闪存也不快。

nand flash的内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本低。

因此，大容量闪光灯都是nand类型的。

大多数小容量2-12M闪存都是nor型的。

在使用寿命方面，nand闪存的擦除次数是nor的数倍。

而且，nand flash可以标记坏块，因此软件可以跳过这些坏块。

NOR闪光灯一旦损坏，将无法再次使用。

因为nor flash可以按字节寻址，所以程序可以在nor flash中运行。

嵌入式系统大多使用小容量或闪存来存储引导代码，而大容量nand闪存则用于存储文件系统和内核。

免责声明：本文内容经21ic授权后发布，版权归原作者所有。

该平台仅提供信息存储服务。

本文仅代表作者的个人观点，并不代表该平台的立场。

如有任何疑问，请与我们联系，谢谢！