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高通将与台积电合作开发4nm芯片
分流电阻 2024-04-29

高通公司在去年12月推出了有史以来最强大的Snapdragon 888芯片,它采用了三系列5纳米制程技术,带来了以前所有强大的性能。

但是,根据最新消息,高通公司正在开发功能更强大的新Snapdragon产品,该产品将与台积电一起使用台积电的4纳米制程技术来制造。

根据该报告,促使高通转向台积电的主要原因是最近有消息称台积电的4nm工艺计划在2022年实现量产。

三星作为其竞争对手相对落后,而高通则渴望采用新工艺。

改进新产品。

表现。

消息人士称,这款基于台积电4纳米技术的Snapdragon芯片将于明年正式发布。

但是在这种情况下,作为Snapdragon 888的后继产品的Snapdragon 895(暂定名称)可能无法使用最新技术。

根据相关报道,骁龙895将于今年年底正式亮相。

三星仍将为其制造,但它将升级为5nm工艺的增强和改进版本。

可以进一步优化过程级别的性能和功耗。

但是,Snapdragon 895预计将基于4nm工艺集成高通公司的X655G基带,并且5G速率将提高到10Gbps,从而实现跨越式发展。

它也是世界上第一个符合3GPPRelease16规范且具有可升级架构的5G基带。

值得注意的是,骁龙X65还配备了高通5GPowerSave2.0技术,这是一种基于3GPPRelease16定义的新节能技术,例如来自网络状态的唤醒信号,可以带来更好的功耗性能并大大改善了现有5G芯片高功耗的痛点。

Snapdragon 895和Snapdragon X65的金色组合必将进一步增强5G旗舰手机的产品强度。

按照惯例,Snapdragon 895将于今年年底由小米Mi 12推出。

请期待它。