AC-DC同步MOSFET控制器

ZXGD3101N8

ZXGD3101旨在驱动配置为理想二极管替代品的MOSFET。这些AC-DC转换器由差分放大器检测器级和高电流驱动器组成。检测器监控MOSFET的反向电压，以便在体二极管导通时，将正电压施加到MOSFET的栅极引脚。一旦正电压施加到栅极，MOSFET就会导通，从而允许反向电流流动。然后，探测器的输出电压与MOSFET漏极 - 反向电压降成比例，并通过驱动器施加到栅极。当电流衰减时，此动作可快速关闭。

产品参数

符合AECQ10x标准	是
符合汽车标准的PPAP	没有
电源电压VCC	5 V
静音供电电流	8毫安
漏极电压VD	180伏
操作模式	DCM CrCM CCM
开关频率	≤100kHz
比例门驱动控制	是
开启时间TON	500 ns
关断阈值电压	-16 mV
关闭延迟时间TOFF	15 ns
栅源电流ISOURCE	2.5 A.
门吸电流ISINK	2.5 A.

质量和可靠性

RoHS CofC

符合RoHS产品-List.pdf

技术文件

设计说明

dn90.pdf（360 KB）

dn97.pdf（119 KB）

用户指南和EV板

ZXGD3101EV1用户指南Issue 2.pdf（266 KB）

ZXGD3101EV2用户指南Issue 1.pdf（297 KB）

推荐的焊接技术

TN1.pdf

ZXGD3103N8

ZXGD3103旨在驱动配置为理想二极管替代品的MOSFET。该器件由差分放大器检测器级和高电流驱动器组成。检测器监控MOSFET的反向电压，以便在体二极管导通时，将正电压施加到MOSFET的栅极引脚。一旦正电压施加到栅极，MOSFET就会导通，从而允许反向电流变低。然后，探测器的输出电压与MOSFET漏极 - 反向电压降成比例，并通过驱动器施加到栅极。当电流衰减时，此动作可快速关闭。

产品参数

符合AECQ10x标准	是
符合汽车标准的PPAP	没有
电源电压VCC	15 V
静音供电电流	5.16毫安
漏极电压VD	180伏
操作模式	DCM CrCM CCM
开关频率	≤250kHz
比例门驱动控制	是
开启时间TON	150 ns
关断阈值电压	10 mV
关闭延迟时间TOFF	15 ns
栅源电流ISOURCE	2.5 A.
门吸电流ISINK	6 A.

质量和可靠性

RoHS CofC

符合RoHS产品-List.pdf

技术文件

用户指南和EV板

ZXGD3103用户指南Issue2.pdf（164 KB）

推荐的焊接技术

TN1.pdf

ZXGD3104N8

ZXGD3104旨在驱动配置为理想二极管替代品的MOSFET。该器件由差分放大器检测器级和高电流驱动器组成。检测器监控MOSFET的反向电压，以便在体二极管导通时，将正电压施加到MOSFET的栅极引脚。一旦正电压施加到栅极，MOSFET就会导通。然后，探测器的输出电压与MOSFET漏极 - 源极电压成比例，并通过驱动器施加到栅极。此动作可在零漏极电流下提供快速MOSFET关断。

产品参数

符合AECQ10x标准	是
符合汽车标准的PPAP	没有
电源电压VCC	25 V
静音供电电流	5.16毫安
漏极电压VD	180伏
操作模式	DCM CrCM CCM
开关频率	≤250kHz
比例门驱动控制	是
开启时间TON	250 ns
关断阈值电压	10 mV
关闭延迟时间TOFF	15 ns
栅源电流ISOURCE	2.5 A.
门吸电流ISINK	7 A.

质量和可靠性

RoHS CofC

符合RoHS产品-List.pdf

技术文件

用户指南和EV板

2373244.pdf（196 KB）

推荐的焊接技术

TN1.pdf

ZXGD3105N8

ZXGD3105N8同步控制器设计用于驱动MOSFET作为理想整流器。这是为了替换二极管以提高功率传输效率。该器件由差分放大器检测器级和高电流驱动器组成。检测器监控MOSFET的反向电压，以便在体二极管导通时，将正电压施加到MOSFET的栅极引脚。一旦正电压施加到栅极，MOSFET就会导通，从而允许反向电流流动。然后，探测器的输出电压与MOSFET漏极 - 源极电压成比例，并通过驱动器施加到栅极。当漏极电流衰减到零时，此动作提供快速MOSFET关断。

产品参数

符合AECQ10x标准	是
符合汽车标准的PPAP	根据要求*
电源电压VCC	25 V
静音供电电流	1.56毫安
漏极电压VD	100 V
操作模式	DCM CrCM CCM
开关频率	≤500kHz
比例门驱动控制	是
开启时间TON	118 ns
关断阈值电压	10 mV
关闭延迟时间TOFF	14 ns
栅源电流ISOURCE	4 A.
门吸电流ISINK	9 A.

质量和可靠性

RoHS CofC

符合RoHS产品-List.pdf

技术文件

SPICE模型

ZXGD3105N8.spice.txt

用户指南和EV板

1463164.pdf（226 KB）

推荐的焊接技术

TN1.pdf

ZXGD3107N8

ZXGD3107N8同步控制器设计用于驱动MOSFET作为理想整流器。这是为了替换二极管以提高功率传输效率。比例门驱动控制监视MOSFET的反向电压，这样如果发生体二极管导通，则会向MOSFET的栅极引脚施加正电压。一旦正电压施加到栅极，MOSFET就会导通，从而允许反向电流流动。然后，控制器的输出电压与MOSFET漏极 - 源极电压成比例，并通过驱动器施加到栅极。当漏极电流衰减到零时，此操作可最大限度地减少体二极管导通，同时实现快速MOSFET关断。

产品参数

符合AECQ10x标准	没有
符合汽车标准的PPAP	没有
电源电压VCC	40 V
静音供电电流	1.79毫安
漏极电压VD	200 V
操作模式	DCM CrCM CCM
开关频率	≤500kHz
比例门驱动控制	是
开启时间TON	70 ns
关断阈值电压	10 mV
关闭延迟时间TOFF	15 ns
栅源电流ISOURCE	4 A.
门吸电流ISINK	9 A.

质量和可靠性

技术文件

推荐的焊接技术

TN1.pdf

ZXGD3113W6

ZXGD3113用于驱动配置为理想二极管替代的MOSFET。该器件由差分放大器检测器级和高电流驱动器组成。探测器监视MOSFET的反向电压，这样，如果发生体二极管导通，则会向MOSFET的栅极引脚施加正电压。

一旦正电压施加到栅极，MOSFET就会导通。然后，探测器的输出电压与MOSFET漏极 - 源极电压成比例，并通过驱动器施加到栅极。该动作可在零漏极电流下提供快速MOSFET关断。

产品参数

符合AECQ10x标准	没有
符合汽车标准的PPAP	没有
电源电压VCC	40 V
静音供电电流	6.2毫安
漏极电压VD	160伏
操作模式	DCM CrCM CCM
开关频率	≤250kHz
比例门驱动控制	是
开启时间TON	250 ns
关断阈值电压	10 mV
关闭延迟时间TOFF	27 ns
栅源电流ISOURCE	0.5 A.
门吸电流ISINK	1.5 A.

质量和可靠性

技术文件

评估板和用户指南

ZXGD3113EV1-USER-GUIDE-Issue-1.pdf（750 KB）

推荐的焊接技术

TN1.pdf

AC-DC同步MOSFET控制器

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