
氮化镓(GaN)MOS管作为第三代半导体器件的代表,近年来在电力电子领域迅速崛起。其核心工作原理基于氮化镓材料的优异物理特性,使得器件在高频、高功率和高效率应用中表现出显著优势。
氮化镓具有宽禁带(约3.4 eV)、高电子迁移率(可达2000 cm²/V·s)以及高击穿电场强度(约为硅的10倍),这些特性使其能够在高温、高压和高频条件下稳定工作。
氮化镓MOS管通常采用AlGaN/GaN异质结结构,通过在氮化镓层上生长铝镓氮(AlGaN)形成二维电子气(2DEG)。栅极采用金属-氧化物-半导体(MOS)结构,利用栅极电压控制沟道中的电流,实现开关功能。
由于氮化镓的高电子饱和速度,氮化镓MOS管可在数百兆赫兹甚至千兆赫兹频率下工作,远超传统硅基MOSFET。这使其广泛应用于开关电源(SMPS)、无线充电、5G基站电源等高频场景。
尽管氮化镓MOS管具备诸多优势,但其制造成本较高、晶圆缺陷控制难度大、可靠性测试体系尚不完善等问题仍需解决。未来随着外延生长技术与封装工艺的进步,其市场渗透率将持续提升。
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