
氮化镓(GaN)MOS管是一种基于宽禁带半导体材料的场效应晶体管,其核心工作原理与传统硅基MOSFET类似,但因材料特性优越而实现性能飞跃。
氮化镓具有约6.2 eV的宽禁带能量,远高于硅的1.1 eV。这使得GaN器件在高温、高压和高频条件下仍能保持稳定工作,有效减少漏电流和热损耗。
GaN材料拥有高达2000 cm²/V·s的电子迁移率,显著高于硅(约1400 cm²/V·s)。这意味着载流子移动速度更快,从而实现更短的开关时间,降低开关损耗,特别适用于高频电源转换场景。
氮化镓MOS管采用金属-氧化物-半导体(MOS)结构,通过栅极电压精确控制沟道导通状态。这种结构不仅提升了器件的耐压能力,还增强了对电流的可控性,尤其适合数字控制和脉冲调制系统。
得益于其优异的电学性能,氮化镓MOS管广泛应用于以下领域:
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