光刻机是芯片制造过程中所需的核心设备，而光刻机的精度决定了芯片的上限。

目前，ASML具有生产最先进的EUV光刻机的能力。

三星和台积电都是ASML客户。

然而，由于“ Wassenaar协议”的限制，中国大陆没有从ASML购买EUV光刻机。

在2020年11月的世博会上，ASML展示了DUV光刻机。

DUV光刻机可以生产7nm芯片，中国可以从ASML购买，并且不受美国的限制。

那么，既然DUV光刻机可以在中国销售，也可以制造7nm，那么为什么他们急于购买更昂贵的EUV光刻机呢？首先，两者使用的准分子激光束不同，导致精度不同。

在芯片制造过程中，EUV光刻机使用波长为13.5nm的极紫光光源，更强的光束功率和更高的精度。

可以轻松制造7nm芯片，甚至5nm，3nm。

DUV光刻机使用准分子深紫外光源，干法光刻技术可以达到157nm的波长；浸没式光刻技术可以达到193nm，相当于134nm的波长。

DUV光刻机和EUV光刻机之间的差距一目了然。

在曝光过程中，较长波长的DUV光刻机光束会散射和折射更多，这会影响其准确性和效率。

因此，尽管DUV光刻机可以达到7nm，但效果不如EUV光刻机理想。

其次，光刻机的波长决定了光刻技术的分辨率和雕刻精度。

高频短波长的光束透镜补偿更为直接，因此良率更高，精度上限也更高。

EUV光刻机可以达到7nm，甚至5nm，3nm。

DUV光刻机需要多次曝光才能达到7nm，这无法继续提高精度，并且多次曝光使芯片制造成本更高。

因此，尽管荷兰的DUV光刻可以制造7nm，但EUV光刻机是最佳选择。

中芯国际对EUV光刻机的追求不久前，在互联网上梁孟松的辞职信中提到中芯国际的“内f”，即中芯国际已经征服了5nm和3nm的关键技术，只等着EUV光刻机。

。

不难看出EUV光刻机的重要性。

如果中国可以购买EUV光刻机，那么中国芯片产业将实现巨大飞跃。

因此，中芯国际一直希望购买EUV光刻机。

2018年，中芯国际从ASML购买了EUV光刻机，荷兰政府也向ASML颁发了出口许可证。

但是，在等待交货时，发生了一系列更改。

美国向荷兰政府施压，ASML的主要零部件供应商工厂着火了，等等。

最后，中芯国际迄今尚未收到该EUV光刻机。

最近，有报道说中芯国际将与ASML在EUV光刻机上进行谈判。

这次，中芯国际能否引入EUV光刻机，让我们拭目以待。